BSS123NH6327XT

BSS123NH6327XT
Mfr. #:
BSS123NH6327XT
제조사:
Infineon Technologies
설명:
MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
BSS123NH6327XT 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
인피니언
제품 카테고리:
MOSFET
RoHS:
Y
기술:
장착 스타일:
SMD/SMT
패키지/케이스:
SOT-23-3
채널 수:
1 Channel
트랜지스터 극성:
N-채널
Vds - 드레인 소스 항복 전압:
100 V
Id - 연속 드레인 전류:
190 mA
Rds On - 드레인 소스 저항:
2.4 Ohms
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:
800 mV
Vgs - 게이트 소스 전압:
20 V
Qg - 게이트 차지:
900 pC
최소 작동 온도:
- 55 C
최대 작동 온도:
+ 150 C
Pd - 전력 손실:
500 mW (1/2 W)
구성:
하나의
채널 모드:
상승
자격:
AEC-Q101
포장:
키:
1.1 mm
길이:
2.9 mm
트랜지스터 유형:
1 N-Channel
너비:
1.3 mm
상표:
인피니언 테크놀로지스
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:
410 mS
가을 시간:
22 ns
상품 유형:
MOSFET
상승 시간:
3.2 ns
공장 팩 수량:
3000
하위 카테고리:
MOSFET
일반적인 끄기 지연 시간:
7.4 ns
일반적인 켜기 지연 시간:
2.3 ns
부품 번호 별칭:
BSS123N BSS123NH6327XTSA1 H6327 SP000870646
단위 무게:
0.000282 oz
Tags
BSS123NH6327X, BSS123NH63, BSS123NH, BSS123N, BSS123, BSS12, BSS1, BSS
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영상 부분 # 설명
BSS123NH6327XTSA1

Mfr.#: BSS123NH6327XTSA1

OMO.#: OMO-BSS123NH6327XTSA1

MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
BSS123N H6433

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MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
BSS123N H6327

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MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
BSS123NH6327XT

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MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
BSS123N

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OMO.#: OMO-BSS123N-1190

신규 및 오리지널
BSS123N H6327(SP0008706

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BSS123N3-0-T1-G

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BSS123NCT-ND

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BSS123NH6433

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BSS123NH6327XTSA1-CUT TAPE

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신규 및 오리지널
유효성
재고:
Available
주문 시:
2500
수량 입력:
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US$0.37
US$0.37
10
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1000
US$0.08
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