TC58NVG2S3EBAI5

Mfr. #:: TC58NVG2S3EBAI5
제조사:: Toshiba Memory
설명:: NAND Flash 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: TC58NVG2S3EBAI5 데이터 시트
배달:: DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

제품 속성
속성 값

제조사:: 도시바

제품 카테고리:: 낸드 플래시

RoHS:: Y

장착 스타일:: SMD/SMT

패키지/케이스:: TFBGA-63

메모리 크기:: 4 Gbit

인터페이스 유형:: 평행 한

조직:: 512 M x 8

타이밍 유형:: 동기

데이터 버스 폭:: 8 bit

공급 전압 - 최소:: 2.7 V

공급 전압 - 최대:: 3.6 V

공급 전류 - 최대:: 30 mA

최소 작동 온도:: - 40 C

최대 작동 온도:: + 85 C

포장:: 쟁반

메모리 유형:: 낸드

제품:: 낸드 플래시

속도:: 25 ns

건축학:: 블록 지우기

상표:: 도시바 메모리

최대 클록 주파수:: -

습기에 민감한:: 네

상품 유형:: 낸드 플래시

공장 팩 수량:: 180

하위 카테고리:: 메모리 및 데이터 저장

Tags: TC58NVG2S3, TC58NVG2S, TC58NVG2, TC58NVG, TC58NV, TC58N, TC58, TC5

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TC58NVG2S3EBAI5 설명

***ical: SLC NAND Flash 3.3V 4G-bit 63-Pin TFBGA

Market price

부분 #	제조	설명	재고	가격
TC58NVG2S3EBAI5 DISTI # TC58NVG2S3EBAI5	Toshiba America Electronic Components	SLC NAND Flash 3.3V 4Gbit 63-Pin TFBGA - Trays (Alt: TC58NVG2S3EBAI5) RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Tray	Americas - 0
TC58NVG2S3EBAI5 DISTI # 757-TC58NVG2S3EBAI5	Toshiba America Electronic Components	NAND Flash 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) RoHS: Compliant	0
TC58NVG2S3EBAI5 DISTI # 7522291P	Toshiba America Electronic Components	NAND FLASH 4GBIT 512MX8BIT 25NS TFBGA63, PU	63	10:£4.8700 50:£4.7800 100:£4.7200 200:£4.6600
TC58NVG2S3EBAI5	Toshiba America Electronic Components	EEPROM, 512MX8, 25ns, Serial, CMOS, PBGA63 RoHS: Compliant	Europe - 180

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