LND150N3-G-P013

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-92-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

500 V

Id - 연속 드레인 전류:

30 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

1 kOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

740 mW

구성:

하나의

채널 모드:

고갈

포장:

탄약 팩

키:

5.33 mm

길이:

5.21 mm

제품:

MOSFET 소신호

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

4.19 mm

상표:

마이크로칩 기술

가을 시간:

1300 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

450 ns

공장 팩 수량:

2000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

100 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

90 ns

단위 무게:

0.016000 oz

Tags

LND150N3-G-P, LND150N3-G, LND150N3, LND150N, LND150, LND15, LND1, LND