IPS65R1K0CEAKMA2

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

PG-TO-251-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

650 V

Id - 연속 드레인 전류:

7.2 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

1 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

15.3 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

68 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

인피니언 테크놀로지스

가을 시간:

13.6 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

5.2 ns

공장 팩 수량:

1500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

41 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

6.6 ns

부품 번호 별칭:

IPS65R1K0CE SP001724356

Tags

IPS65R1K0CEA, IPS65R1K0, IPS65R1, IPS65R, IPS65, IPS6, IPS