IXTP3N100P

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

1 kV

Id - 연속 드레인 전류:

3 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

4.8 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4.8 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

39 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

125 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

상표명:

극선

포장:

튜브

키:

16 mm

길이:

10.66 mm

시리즈:

IXTP3N100

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

극성 전력 MOSFET

너비:

4.83 mm

상표:

익시스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

1.5 S

가을 시간:

29 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

27 ns

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

75 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

22 ns

단위 무게:

0.081130 oz

Tags

IXTP3N1, IXTP3N, IXTP3, IXTP, IXT