2SD2661T100

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-89-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

12 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

15 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

6 V

수집기-이미터 포화 전압:

90 mV

최대 DC 수집기 전류:

2 A

이득 대역폭 곱 fT:

360 MHz

최소 작동 온도:

-

최대 작동 온도:

+ 150 C

DC 전류 이득 hFE 최대:

680 at 200 mA, 2 V

포장:

릴

상표:

로옴 반도체

지속적인 수집가 전류:

2 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

270 at 200 mA, 2 V

Pd - 전력 손실:

2 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

2SD2661

Tags

2SD26, 2SD2, 2SD