IXTP230N04T4M

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

RoHS:

Y

제품:

전력 MOSFET 모듈

유형:

Trench T4

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220AB-3

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

포장:

튜브

구성:

하나의

상표:

익시스

트랜지스터 극성:

N-채널

가을 시간:

82 ns

Id - 연속 드레인 전류:

230 A

Pd - 전력 손실:

340 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

2.9 mOhms

상승 시간:

143 ns

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

상표명:

TrenchT4

일반적인 끄기 지연 시간:

85 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

40 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

40 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2 V

Tags

IXTP23, IXTP2, IXTP, IXT