APT66M60B2

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

T-MAX-3

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

600 V

Id - 연속 드레인 전류:

70 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

75 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

Qg - 게이트 차지:

330 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1.135 kW

채널 모드:

상승

상표명:

POWER MOS 8

포장:

튜브

키:

5.31 mm

길이:

21.46 mm

너비:

16.26 mm

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

65 S

가을 시간:

70 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

85 ns

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

225 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

75 ns

Tags

APT66M, APT66, APT6, APT