BUR51

제품 속성

속성 값

제조사:

ST마이크로일렉트로닉스

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

200 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

300 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

10 V

최대 DC 수집기 전류:

60 A

이득 대역폭 곱 fT:

16 MHz

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

BUR51

DC 전류 이득 hFE 최대:

100

키:

8.7 mm (Max)

길이:

39.5 mm (Max)

포장:

튜브

너비:

26.2 mm (Max)

상표:

ST마이크로일렉트로닉스

지속적인 수집가 전류:

60 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

20

Pd - 전력 손실:

350 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

20

하위 카테고리:

트랜지스터

단위 무게:

0.225789 oz

Tags

BUR5, BUR