SQSA80ENW-T1_GE3

제품 속성

속성 값

제조사:

비쉐이

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

PowerPAK-1212-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

80 V

Id - 연속 드레인 전류:

18 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

21 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

17 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

62.5 W

구성:

하나의

자격:

AEC-Q101

상표명:

TrenchFET

포장:

릴

시리즈:

광장

상표:

비쉐이 / 실리콘닉스

가을 시간:

5 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

2 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

19 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

9 ns

Tags

SQS