APT10M07JVFR

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

RoHS:

Y

제품:

전력 MOSFET 모듈

유형:

MOSFET

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

장착 스타일:

나사산

패키지/케이스:

SOT-227-4

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

포장:

튜브

구성:

하나의

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

트랜지스터 극성:

N-채널

가을 시간:

20 ns

Id - 연속 드레인 전류:

225 A

작동 공급 전압:

0.5 V

Pd - 전력 손실:

700 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

7 mOhms

상승 시간:

60 ns

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

일반적인 끄기 지연 시간:

80 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

25 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

100 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2 V

단위 무게:

1.058219 oz

Tags

APT10M, APT10, APT1, APT