IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G
Mfr. #:
IPB08CNE8N G
제조사:
Infineon Technologies
설명:
MOSFET N-Ch 85V 95A D2PAK-2
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
IPB08CNE8N G 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
인피니언
제품 카테고리:
MOSFET
RoHS:
Y
기술:
장착 스타일:
SMD/SMT
패키지/케이스:
TO-263-3
채널 수:
1 Channel
트랜지스터 극성:
N-채널
Vds - 드레인 소스 항복 전압:
85 V
Id - 연속 드레인 전류:
95 A
Rds On - 드레인 소스 저항:
8.2 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:
20 V
최소 작동 온도:
- 55 C
최대 작동 온도:
+ 175 C
Pd - 전력 손실:
167 W
구성:
하나의
채널 모드:
상승
포장:
키:
4.4 mm
길이:
10 mm
트랜지스터 유형:
1 N-Channel
너비:
9.25 mm
상표:
인피니언 테크놀로지스
가을 시간:
6 ns
상품 유형:
MOSFET
상승 시간:
24 ns
공장 팩 수량:
1000
하위 카테고리:
MOSFET
일반적인 끄기 지연 시간:
26 ns
일반적인 켜기 지연 시간:
15 ns
부품 번호 별칭:
IPB08CNE8NGXT
단위 무게:
0.139332 oz
Tags
IPB08C, IPB08, IPB0, IPB
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 85V 95A 3-Pin(2+Tab) TO-263
***i-Key
MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
부분 # 제조 설명 재고 가격
IPB08CNE8N G
DISTI # IPB08CNE8NG-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    영상 부분 # 설명
    IPB08CNE8N G

    Mfr.#: IPB08CNE8N G

    OMO.#: OMO-IPB08CNE8N-G

    MOSFET N-Ch 85V 95A D2PAK-2
    IPB08CN10N G

    Mfr.#: IPB08CN10N G

    OMO.#: OMO-IPB08CN10N-G

    MOSFET N-Ch 100V 95A D2PAK-2
    IPB08CN10N G

    Mfr.#: IPB08CN10N G

    OMO.#: OMO-IPB08CN10N-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

    MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
    IPB08CNE8N G

    Mfr.#: IPB08CNE8N G

    OMO.#: OMO-IPB08CNE8N-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

    MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
    IPB08CN10NG

    Mfr.#: IPB08CN10NG

    OMO.#: OMO-IPB08CN10NG-1190

    신규 및 오리지널
    유효성
    재고:
    Available
    주문 시:
    3000
    수량 입력:
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