BSG0811NDATMA1

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TISON-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

25 V

Id - 연속 드레인 전류:

50 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

2.4 mOhms, 700 uOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

16 V

Qg - 게이트 차지:

8.4 nC, 29 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

6.25 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

상표명:

옵티모스

포장:

릴

키:

1.15 mm

길이:

6 mm

시리즈:

OptiMOS 5

트랜지스터 유형:

2 N-Channel

너비:

5 mm

상표:

인피니언 테크놀로지스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

46 S, 90 S

가을 시간:

1.4 ns, 2.6 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

4.7 ns, 4.3 ns

공장 팩 수량:

5000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

4.3 ns, 8.8 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

4.3 ns, 5.6 ns

부품 번호 별칭:

BSG0811ND SP001075902

Tags

BSG0811, BSG08, BSG0, BSG