STO36N60M6

제품 속성

속성 값

제조사:

ST마이크로일렉트로닉스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-LL-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

600 V

Id - 연속 드레인 전류:

30 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

99 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3.25 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

25 V

Qg - 게이트 차지:

44.3 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

230 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

시리즈:

STO33N60M6

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

ST마이크로일렉트로닉스

가을 시간:

7.3 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

5.3 ns

공장 팩 수량:

1800

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

50.2 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

15.2 ns

Tags

STO3, STO