APTM08TAM04PG

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

RoHS:

Y

제품:

전력 MOSFET 모듈

유형:

위상 다리

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

장착 스타일:

나사산

패키지/케이스:

SP6-P

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 100 C

포장:

튜브

구성:

3-Phase

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

트랜지스터 극성:

N-채널

가을 시간:

65 ns

Id - 연속 드레인 전류:

120 A

Pd - 전력 손실:

138 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

4.2 mOhms

상승 시간:

60 ns

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

일반적인 끄기 지연 시간:

100 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

35 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

75 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2 V

단위 무게:

3.880136 oz

Tags

APTM, APT