TC58NVG2S3ETAI0

TC58NVG2S3ETAI0
Mfr. #:
TC58NVG2S3ETAI0
제조사:
Toshiba Memory
설명:
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
TC58NVG2S3ETAI0 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사
도시바
제품 카테고리
IC 칩
포장
쟁반
장착 스타일
SMD/SMT
작동 온도 범위
- 40 C to + 85 C
메모리 크기
4 Gbit
메모리형
낸드
속도
25 ns
건축학
블록 지우기
인터페이스 유형
평행 한
조직
512 M x 8
공급 전류 최대
30 mA
데이터 버스 너비
8 bit
공급 전압 최대
3.6 V
공급 전압 최소
2.7 V
패키지 케이스
TSOP-48
최대 클록 주파수
-
타이밍 유형
동기
Tags
TC58NVG2S3ETAI, TC58NVG2S3ET, TC58NVG2S3, TC58NVG2S, TC58NVG2, TC58NVG, TC58NV, TC58N, TC58, TC5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ied Electronics & Automation
NAND Flash 4Gbit 512Mx8bit 25ns TSOP48
부분 # 제조 설명 재고 가격
TC58NVG2S3ETAI0
DISTI # TC58NVG2S3ETAI0
Toshiba America Electronic ComponentsSLC NAND Flash Serial 3.3V 4Gbit 512M x 8bit 48-Pin TSOP-I - Trays (Alt: TC58NVG2S3ETAI0)
RoHS: Compliant
Min Qty: 96
Container: Tray
Americas - 0
    TC58NVG2S3ETAI0
    DISTI # 757-TC58NVG2S3ETAI0
    Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
    RoHS: Compliant
    0
      영상 부분 # 설명
      TC58NVG2S0HBAI4

      Mfr.#: TC58NVG2S0HBAI4

      OMO.#: OMO-TC58NVG2S0HBAI4

      NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
      TC58NVG0S3AFTI5

      Mfr.#: TC58NVG0S3AFTI5

      OMO.#: OMO-TC58NVG0S3AFTI5-1190

      신규 및 오리지널
      TC58NVG1S3ETA00B3H

      Mfr.#: TC58NVG1S3ETA00B3H

      OMO.#: OMO-TC58NVG1S3ETA00B3H-231

      EEPROM Serial 2G-bit 256M x 8 3.3V 48-Pin TSOP-I (Alt: TC58NVG1S3ETA00B3H)
      TC58NVG1S3HTA00(256M)

      Mfr.#: TC58NVG1S3HTA00(256M)

      OMO.#: OMO-TC58NVG1S3HTA00-256M--1190

      신규 및 오리지널
      TC58NVG1S3HTA00_TRAY

      Mfr.#: TC58NVG1S3HTA00_TRAY

      OMO.#: OMO-TC58NVG1S3HTA00-TRAY-1151

      NAND Flash Memory (Alt: TC58NVG1S3HTA00_TRAY)
      TC58NVG2S3ETAOO

      Mfr.#: TC58NVG2S3ETAOO

      OMO.#: OMO-TC58NVG2S3ETAOO-1190

      신규 및 오리지널
      TC58NVG3S0FTA00B4H

      Mfr.#: TC58NVG3S0FTA00B4H

      OMO.#: OMO-TC58NVG3S0FTA00B4H-1190

      신규 및 오리지널
      TC58NVG3S0HTA00

      Mfr.#: TC58NVG3S0HTA00

      OMO.#: OMO-TC58NVG3S0HTA00-1190

      신규 및 오리지널
      TC58NVG5D2HTA08

      Mfr.#: TC58NVG5D2HTA08

      OMO.#: OMO-TC58NVG5D2HTA08-1190

      신규 및 오리지널
      TC58NVG1S3HBAI6

      Mfr.#: TC58NVG1S3HBAI6

      OMO.#: OMO-TC58NVG1S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

      EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
      유효성
      재고:
      Available
      주문 시:
      1000
      수량 입력:
      TC58NVG2S3ETAI0의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
      참고 가격(USD)
      수량
      단가
      내선 가격
      1
      US$8.54
      US$8.54
      10
      US$8.11
      US$81.08
      100
      US$7.68
      US$768.15
      500
      US$7.25
      US$3 627.40
      1000
      US$6.83
      US$6 828.00
      2021년부터 반도체 공급 부족으로 인해 아래 가격은 2021년 이전 정상 가격입니다. 확인을 위해 문의를 보내주세요.
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