KSB1151YSTSSTU

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-126-3

트랜지스터 극성:

PNP

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

- 60 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

- 60 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

- 7 V

수집기-이미터 포화 전압:

- 0.14 V

최대 DC 수집기 전류:

5 A

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

KSB1151

DC 전류 이득 hFE 최대:

400

키:

1.5 mm

길이:

8 mm

포장:

튜브

너비:

3.25 mm

상표:

온세미컨덕터 / 페어차일드

Pd - 전력 손실:

1300 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

60

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

KSB1151YSTSSTU_NL

단위 무게:

0.026738 oz

Tags

KSB1151YST, KSB1151YS, KSB1151Y, KSB115, KSB11, KSB1, KSB