IXDR30N120D1

IXDR30N120D1
Mfr. #:
IXDR30N120D1
제조사:
Littelfuse
설명:
IGBT Transistors 30 Amps 1200V
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
IXDR30N120D1 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사
익시스
제품 카테고리
IGBT - 싱글
시리즈
IXDR30N120
포장
튜브
단위 무게
0.186952 oz
장착 스타일
구멍을 통해
상표명
아이소플러스
패키지 케이스
ISOPLUS247
입력 유형
기준
장착형
구멍을 통해
공급자-장치-패키지
ISOPLUS247
구성
하나의
파워맥스
200W
역복구-시간-trr
40ns
전류 수집기 Ic-Max
50A
Voltage-Collector-Emitter-Breakdown-Max
1200V
IGBT형
NPT
전류 수집기 펄스 Icm
60A
Vce-on-Max-Vge-Ic
2.9V @ 15V, 30A
스위칭 에너지
4.6mJ (on), 3.4mJ (off)
게이트 차지
120nC
Td-on-off-25°C
-
시험조건
600V, 30A, 47 Ohm, 15V
Pd 전력 손실
200 W
최대 작동 온도
+ 150 C
최소 작동 온도
- 55 C
컬렉터-이미터-전압-VCEO-최대
1.2 kV
컬렉터-이미터-포화-전압
2.4 V
연속 수집기 전류 at-25-C
50 A
게이트 이미 터 누설 전류
500 nA
최대 게이트 이미 터 전압
+/- 20 V
연속 수집기 전류 Ic-Max
60 A
Tags
IXDR3, IXDR, IXD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
***ark
Igbt W/ Diode; 1.2Kv, 50A; Isoplus-247; Dc Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):2.4V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv; No. Of Pins:3Pins; Product Range:-; Msl:- Rohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. IGBT, ISOPLUS247; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.4V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247AD; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); Current Ic Continuous a Max:50A; Fall Time tf:70ns; Junction to Case Thermal Resistance A:0.6°C/W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pin Configuration:Copack (FRD); Power Dissipation Max:200W; Rise Time:70ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Transistor Type:IGBT; Voltage Vces:1.2kV
***nell
IGBT, ISOPLUS247; Prąd kolektora DC:50A; Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on):2.4V; Straty mocy Pd:200W; Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo:1.2kV; Rodzaj obudowy tranzystora:TO-247AD; Liczba pinów:3piny/-ów; Temperatura robocza, maks.:150°C; Asortyment produktów:-; Kwalifikacja motoryzacyjna:-; Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL:-; Substancje SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); Biegunowość tranzystora:Kanał N; Czas narastania:70ns; Czas opadania tf:70ns; Konfiguracja pinów:Copack (FRD); Napięcie Vces:1.2kV; Prąd Ic stały a, maks.:50A; Rezystancja termiczna złącze - obudowa A:0.6°C/W; Rodzaj tranzystora:IGBT; Straty mocy, maks.:200W; Temperatura robocza, min.:-55°C; Typ zakończenia:Przewlekane; Zakres temperatury roboczej:-55°C do +150°C
부분 # 제조 설명 재고 가격
IXDR30N120D1
DISTI # IXDR30N120D1-ND
IXYS CorporationIGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 30:$10.0040
IXDR30N120D1
DISTI # 747-IXDR30N120D1
IXYS CorporationIGBT Transistors 30 Amps 1200V
RoHS: Compliant
1
  • 1:$11.3300
  • 10:$10.3000
  • 25:$9.5300
  • 50:$8.9800
  • 100:$8.7600
  • 250:$7.9800
  • 500:$7.4700
IXDR30N120D1
DISTI # 1300075
IXYS CorporationIGBT, ISOPLUS247
RoHS: Compliant
0
  • 1:£9.1200
  • 5:£8.5700
  • 10:£7.2100
  • 50:£6.7900
  • 100:£6.6500
영상 부분 # 설명
IXDR30N120D1

Mfr.#: IXDR30N120D1

OMO.#: OMO-IXDR30N120D1

IGBT Transistors 30 Amps 1200V
IXDR30N120

Mfr.#: IXDR30N120

OMO.#: OMO-IXDR30N120

IGBT Transistors 30 Amps 1200V
IXDR30N120D1

Mfr.#: IXDR30N120D1

OMO.#: OMO-IXDR30N120D1-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors 30 Amps 1200V
IXDR30N120

Mfr.#: IXDR30N120

OMO.#: OMO-IXDR30N120-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors 30 Amps 1200V
유효성
재고:
Available
주문 시:
5000
수량 입력:
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참고 가격(USD)
수량
단가
내선 가격
1
US$11.20
US$11.20
10
US$10.64
US$106.45
100
US$10.08
US$1 008.45
500
US$9.52
US$4 762.15
1000
US$8.96
US$8 964.00
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