R8010ANX

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220FP-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

800 V

Id - 연속 드레인 전류:

10 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

560 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

Qg - 게이트 차지:

62 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

40 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

4.8 mm

길이:

15.4 mm

제품:

MOSFET

시리즈:

R8010ANX

트랜지스터 유형:

1 N-channel

유형:

파워 MOSFET

너비:

10.3 mm

상표:

로옴 반도체

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

2.2 S

가을 시간:

25 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

54 ns

공장 팩 수량:

500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

97 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

43 ns

부품 번호 별칭:

R8010ANX

단위 무게:

0.090478 oz

Tags

R8010, R801, R80