IRFH7911TRPBF

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

PQFN-18

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

13 A, 28 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

8.6 mOhms, 3 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2.35 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

8.3 nC, 34 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

2.4 W, 3.4 W

구성:

듀얼

상표명:

강한IRFET

포장:

릴

키:

1 mm

길이:

6 mm

트랜지스터 유형:

2 N-Channel

너비:

5 mm

상표:

인피니언 / IR

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

17 S, 106 S

가을 시간:

5.9 ns, 14 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

15 ns, 35 ns

공장 팩 수량:

4000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

12 ns, 28 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

12 ns, 22 ns

부품 번호 별칭:

SP001577920

Tags

IRFH791, IRFH79, IRFH7, IRFH, IRF