SI7652DP-T1-GE3

SI7652DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7652DP-T1-GE3
제조사:
Vishay / Siliconix
설명:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
SI7652DP-T1-GE3 데이터 시트
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DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사
비쉐이 / 실리콘닉스
제품 카테고리
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
포장
부분 별칭
SI7652DP-GE3
단위 무게
0.017870 oz
장착 스타일
SMD/SMT
패키지 케이스
SO-8
기술
채널 수
1 Channel
구성
하나의
트랜지스터형
1 N-Channel
Pd 전력 손실
3.9 W
최대 작동 온도
+ 150 C
최소 작동 온도
- 55 C
가을철
14 ns
상승 시간
12 ns
Vgs 게이트 소스 전압
25 V
Id-연속-드레인-전류
15 A
Vds-드레인-소스-고장-전압
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
18.5 mOhms
트랜지스터 극성
N-채널
일반 꺼짐 지연 시간
32 ns
일반 켜기 지연 시간
7 ns
채널 모드
상승
Tags
SI7652, SI765, SI76, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ment14 APAC
N CHANNEL MOSFET, 30V, 15A, SOIC
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:15000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.030ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:25V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation, Pd:3.9W ;RoHS Compliant: Yes
부분 # 제조 설명 재고 가격
SI7652DP-T1-GE3
DISTI # 781-SI7652DP-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$0.4480
  • 6000:$0.4260
  • 9000:$0.4100
SI7652DP-T1-GE3
DISTI # 2478974
Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 15A, SOIC
RoHS: Compliant
0
  • 3000:£1.0960
SI7652DP-T1-GE3
DISTI # 2478974
Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 15A, SOIC
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$1.7600
영상 부분 # 설명
SI7652DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7652DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7652DP-T1-GE3

MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
SI7652DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7652DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7652DP-T1-GE3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
SI7652DP-T1-E3

Mfr.#: SI7652DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7652DP-T1-E3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W
유효성
재고:
Available
주문 시:
4000
수량 입력:
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참고 가격(USD)
수량
단가
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1
US$0.62
US$0.62
10
US$0.58
US$5.84
100
US$0.55
US$55.35
500
US$0.52
US$261.40
1000
US$0.49
US$492.00
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