FQI19N20TU

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

E

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-262-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

200 V

Id - 연속 드레인 전류:

19.4 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

120 mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

3.13 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

키:

7.88 mm

길이:

10.29 mm

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

MOSFET

너비:

4.83 mm

상표:

온세미컨덕터 / 페어차일드

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

14.5 S

가을 시간:

80 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

190 ns

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

55 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

20 ns

부품 번호 별칭:

FQI19N20TU_NL

단위 무게:

0.054004 oz

Tags

FQI19N2, FQI19, FQI1, FQI