AS4C128M16D3LC-12BANTR

AS4C128M16D3LC-12BANTR
Mfr. #:
AS4C128M16D3LC-12BANTR
제조사:
Alliance Memory
설명:
DRAM 25nm technology node process 128M x 16 1.35V 800MHz DDR3-1600bps/pin Automotive(-40 C 105 C) 96-ball FBGA
수명 주기:
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데이터 시트:
AS4C128M16D3LC-12BANTR 데이터 시트
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DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
얼라이언스 메모리
제품 카테고리:
적은 양
RoHS:
Y
유형:
SDRAM - DDR3L
데이터 버스 폭:
16 bit
조직:
128 M x 16
패키지/케이스:
FBGA-96
메모리 크기:
2 Gbit
최대 클록 주파수:
800 MHz
공급 전압 - 최대:
1.45 V
공급 전압 - 최소:
1.283 V
공급 전류 - 최대:
96 mA
최소 작동 온도:
- 40 C
최대 작동 온도:
+ 105 C
시리즈:
AS4C128M16D3LC-12
포장:
상표:
얼라이언스 메모리
장착 스타일:
SMD/SMT
습기에 민감한:
상품 유형:
적은 양
공장 팩 수량:
1500
하위 카테고리:
메모리 및 데이터 저장
Tags
AS4C128M16D3L, AS4C128M16D3, AS4C128M16D, AS4C128M1, AS4C12, AS4C1, AS4C, AS4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
영상 부분 # 설명
AS4C128M16D2-25BCNTR

Mfr.#: AS4C128M16D2-25BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C128M16D2-25BCNTR

DRAM 2G 1.8V 400Mhz 128M x 16 DDR2
AS4C128M16D2A-25BANTR

Mfr.#: AS4C128M16D2A-25BANTR

OMO.#: OMO-AS4C128M16D2A-25BANTR

DRAM 2G 1.8V 128Mx16 400MHz DDR2 A-Temp
AS4C128M16D3B-12BCN

Mfr.#: AS4C128M16D3B-12BCN

OMO.#: OMO-AS4C128M16D3B-12BCN

DRAM 2G 1.5V 800MHz 128M x 16 DDR3
AS4C128M16D2-25BIN

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DRAM 2G 1.8V 400Mhz 128M x 16 DDR2
AS4C128M16D3A-12BAN

Mfr.#: AS4C128M16D3A-12BAN

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DRAM 2G 1.5V 800MHz 128M x 16 DDR3
AS4C128M16D3LA-12BCN

Mfr.#: AS4C128M16D3LA-12BCN

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DRAM 2G 1.35V 800MHz 128M x 16 DDR3
AS4C128M16D3A-12BIN

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IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
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IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
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IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
유효성
재고:
Available
주문 시:
2500
수량 입력:
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