DMN2005LP4K-7

제품 속성

속성 값

제조사:

다이오드 주식회사

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

X2-DFN1006-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

300 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

650 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

530 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

-

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

400 mW

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

0.35 mm

길이:

1 mm

제품:

MOSFET 소신호

시리즈:

DMN2005

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

0.6 mm

상표:

다이오드 주식회사

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

40 mS

상품 유형:

MOSFET

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

13.7 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

4.06 ns

Tags

DMN2005L, DMN2005, DMN200, DMN20, DMN2, DMN