AFT27S012NT1

Mfr. #:: AFT27S012NT1
제조사:: NXP Semiconductors
설명:: RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-2700 MHz, 1.26 W AVG., 28 V
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: AFT27S012NT1 데이터 시트
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HTML Datasheet:: AFT27S012NT1 Datasheet AFT27S012NT1 Datasheet (P4-P6)AFT27S012NT1 Datasheet (P7-P9)AFT27S012NT1 Datasheet (P10)
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추가 정보:: AFT27S012NT1 추가 정보 AFT27S012NT1 Product Details

제품 속성
속성 값

제조사:: NXP

제품 카테고리:: RF MOSFET 트랜지스터

트랜지스터 극성:: N-채널

기술:: 시

Id - 연속 드레인 전류:: 154 mA

Vds - 드레인 소스 항복 전압:: - 500 mV, 65 V

얻다:: 20.9 dB

출력 파워:: 1.26 W

최소 작동 온도:: - 40 C

최대 작동 온도:: + 150 C

장착 스타일:: SMD/SMT

패키지/케이스:: PLD-1.5W

포장:: 릴

동작 주파수:: 728 MH to 2700 MHz

유형:: RF 전력 MOSFET

상표:: NXP반도체

채널 수:: 1 Channel

습기에 민감한:: 네

상품 유형:: RF MOSFET 트랜지스터

공장 팩 수량:: 1000

하위 카테고리:: MOSFET

Vgs - 게이트 소스 전압:: - 6 V, 10 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:: 0.8 V

부품 번호 별칭:: 935347325515

단위 무게:: 0.009877 oz

Tags: AFT27S01, AFT27, AFT2, AFT

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AFT27S012NT1 설명

***ark: Airfast Rf Power Ldmos Transistor, 728-2700 Mhz, 1.26 W Avg., 28 V

***W: RF Power Transistor, 0.728 to 2.7 GHz, 13 W Typ. P1dB, Typ. Gain in dB is 22.8 @ 2170 MHz, 28 V, LDMOS

***et: RF Power LDMOS MOSFET N-Cannel 65V 2-Pin PLD T/R

***i-Key: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Market price

부분 #	제조	설명	재고	가격
AFT27S012NT1 DISTI # AFT27S012NT1-ND	NXP Semiconductors	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO RoHS: Compliant Min Qty: 1000 Container: Tape & Reel (TR)	Temporarily Out of Stock	1000:$10.3971
AFT27S012NT1 DISTI # AFT27S012NT1	Avnet, Inc.	RF Power LDMOS MOSFET N-Cannel 65V 2-Pin PLD T/R - Tape and Reel (Alt: AFT27S012NT1) RoHS: Compliant Min Qty: 1000 Container: Reel	Americas - 0	10000:$9.8900 6000:$10.0900 4000:$10.4900 2000:$10.8900 1000:$11.2900
AFT27S012NT1 DISTI # 771-AFT27S012NT1	NXP Semiconductors	RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-2700 MHz, 1.26 W AVG., 28 V	0	1000:$10.4000

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