CEDM8004VL TR

제품 속성

속성 값

제조사:

중앙반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-883VL

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

450 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

1 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

8 V

Qg - 게이트 차지:

880 pC

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

100 mW

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

0.32 mm

길이:

1.05 mm

제품:

MOSFET

시리즈:

CEDM80

트랜지스터 유형:

1 P-Channel

너비:

0.65 mm

상표:

중앙반도체

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

200 mS

상품 유형:

MOSFET

공장 팩 수량:

8000

하위 카테고리:

MOSFET

부품 번호 별칭:

CEDM8004VL PBFREE TR

Tags

CEDM8004, CEDM8, CEDM, CED