APTM50H14FT3G

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

RoHS:

Y

제품:

전력 MOSFET 모듈

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

장착 스타일:

나사산

패키지/케이스:

SP-32

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

포장:

튜브

구성:

하나의

키:

11.5 mm

길이:

73.4 mm

너비:

40.8 mm

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

가을 시간:

41 ns

Id - 연속 드레인 전류:

26 A

Pd - 전력 손실:

208 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

140 mOhms

상승 시간:

17 ns

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

상표명:

POWER MOS 7

일반적인 끄기 지연 시간:

50 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

10 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

500 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3 V

Tags

APTM50H1, APTM50H, APTM5, APTM, APT