NE685M33-T3-A

제품 속성

속성 값

제조사:

셀

제품 카테고리:

RF 양극성 트랜지스터

RoHS:

Y

트랜지스터 유형:

양극성

기술:

시

트랜지스터 극성:

NPN

이미터-베이스 전압 VEBO:

2 V

지속적인 수집가 전류:

0.03 A

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

구성:

하나의

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

9 V

DC 전류 이득 hFE 최대:

75 at 10 mA at 3 V

동작 주파수:

12000 MHz (Typ)

유형:

RF 바이폴라 소신호

상표:

셀

Pd - 전력 손실:

130 mW

상품 유형:

RF 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

10000

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

NE685M3, NE685M, NE685, NE68, NE6