TS13002ACT A3G

제품 속성

속성 값

제조사:

대만 반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-92-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

400 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

700 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

9 V

수집기-이미터 포화 전압:

1.5 V

최대 DC 수집기 전류:

0.3 A

이득 대역폭 곱 fT:

4 MHz

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

DC 전류 이득 hFE 최대:

24

포장:

탄약 팩

상표:

대만 반도체

지속적인 수집가 전류:

0.3 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

12

Pd - 전력 손실:

0.6 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

2000

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

TS13002ACTA, TS13002A, TS13002, TS1300, TS130, TS13, TS1