RDN100N20

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

200 V

Id - 연속 드레인 전류:

10 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

360 mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

35 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

대부분

키:

8 mm

길이:

10 mm

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

4.5 mm

상표:

로옴 반도체

가을 시간:

26 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

29 ns

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

38 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

13 ns

부품 번호 별칭:

RDN100N20FU6

단위 무게:

0.211644 oz

Tags

RDN100N, RDN10, RDN1, RDN