SIR170DP-T1-RE3

제품 속성

속성 값

제조사:

비쉐이

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

E

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SO-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

100 V

Id - 연속 드레인 전류:

95 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

4 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

- 5.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

93 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

채널 모드:

고갈

상표명:

TrenchFET

포장:

릴

상표:

비쉐이 / 실리콘닉스

가을 시간:

8 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

7 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

43 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

12 ns

Tags

SIR17, SIR1, SIR