CSD16323Q3C

제품 속성

속성 값

제조사:

텍사스 인스트루먼트

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

E

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

VSON-Clip-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

25 V

Id - 연속 드레인 전류:

60 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

5.5 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

6.2 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

3 W

구성:

듀얼

상표명:

넥스펫

포장:

릴

키:

1.1 mm

길이:

3.3 mm

시리즈:

CSD16323Q3C

트랜지스터 유형:

2 N-Channel

너비:

3.3 mm

상표:

텍사스 인스트루먼트

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

108 S

상품 유형:

MOSFET

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

MOSFET

단위 무게:

0.001623 oz

Tags

CSD16323, CSD1632, CSD163, CSD16, CSD1, CSD