NJVMJD42CT4G

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

DPAK-3

트랜지스터 극성:

PNP

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

100 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

100 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

5 V

최대 DC 수집기 전류:

6 A

이득 대역폭 곱 fT:

3 MHz

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

MJD42C

DC 전류 이득 hFE 최대:

30 at 300 mA, 4 V

키:

2.38 mm

길이:

6.73 mm

포장:

릴

너비:

6.22 mm

상표:

온세미컨덕터

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

30

Pd - 전력 손실:

1750 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

자격:

AEC-Q101

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

NJVMJD42CT4G-VF01

단위 무게:

0.012346 oz

Tags

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