RQ1C065UNTR

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TSMT-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

6.5 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

58 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

300 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

11 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1.5 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

0.85 mm

길이:

3 mm

제품:

MOSFET

트랜지스터 유형:

1 N-channel

유형:

파워 MOSFET

너비:

2.4 mm

상표:

로옴 반도체

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

6 S

가을 시간:

25 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

30 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

70 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

7 ns

부품 번호 별칭:

RQ1C065UN

Tags

RQ1C06, RQ1C0, RQ1C, RQ1