CSD19536KTTT

제품 속성

속성 값

제조사:

텍사스 인스트루먼트

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

E

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-263-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

100 V

Id - 연속 드레인 전류:

272 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

2.4 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2.1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

118 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

375 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

상표명:

넥스펫

포장:

릴

키:

4.7 mm

길이:

9.25 mm

시리즈:

CSD19536KTT

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

10.26 mm

상표:

텍사스 인스트루먼트

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

329 S

가을 시간:

6 ns

습기에 민감한:

네

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

8 ns

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

32 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

13 ns

단위 무게:

0.068654 oz

Tags

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