RN1106MFV,L3F

Mfr. #:: RN1106MFV,L3F
제조사:: Toshiba
설명:: Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: RN1106MFV,L3F 데이터 시트
배달:: DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

제품 속성
속성 값

제조사:: 도시바

제품 카테고리:: 양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스

RoHS:: Y

구성:: 하나의

트랜지스터 극성:: NPN

일반적인 입력 저항:: 4.7 kOhms

일반적인 저항 비율:: 0.1

장착 스타일:: SMD/SMT

패키지/케이스:: SOT-723-3

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:: 80

최대 작동 주파수:: -

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:: 50 V

지속적인 수집가 전류:: 100 mA

피크 DC 수집기 전류:: -

Pd - 전력 손실:: 150 mW

최소 작동 온도:: - 55 C

최대 작동 온도:: + 150 C

시리즈:: RN1106MFV

이미터-베이스 전압 VEBO:: 5 V

상표:: 도시바

채널 모드:: 상승

최대 DC 수집기 전류:: 100 mA

상품 유형:: BJT - 양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스

공장 팩 수량:: 8000

하위 카테고리:: 트랜지스터

Tags: RN1106M, RN1106, RN110, RN11, RN1

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RN1106MFV,L3F 설명

***i-Key: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

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