IXFN210N30P3

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

섀시 마운트

패키지/케이스:

SOT-227-4

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

300 V

Id - 연속 드레인 전류:

192 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

14.5 mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

268 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1.5 kW

구성:

하나의

채널 모드:

상승

상표명:

HiPerFET

포장:

튜브

시리즈:

IXFN210N30

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

익시스

가을 시간:

13 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

25 ns

공장 팩 수량:

10

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

94 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

46 ns

단위 무게:

1.058219 oz

Tags

IXFN210, IXFN21, IXFN2, IXFN, IXF