FDMS4D4N08C

FDMS4D4N08C
Mfr. #:
FDMS4D4N08C
제조사:
ON Semiconductor / Fairchild
설명:
MOSFET PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
FDMS4D4N08C 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
온세미컨덕터
제품 카테고리:
MOSFET
RoHS:
Y
기술:
장착 스타일:
SMD/SMT
패키지/케이스:
Power-56-8
채널 수:
1 Channel
트랜지스터 극성:
N-채널
Vds - 드레인 소스 항복 전압:
80 V
Id - 연속 드레인 전류:
123 A
Rds On - 드레인 소스 저항:
3.7 mOhms
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:
2 V
Vgs - 게이트 소스 전압:
20 V
Qg - 게이트 차지:
56 nC
최소 작동 온도:
- 55 C
최대 작동 온도:
+ 150 C
Pd - 전력 손실:
125 W
구성:
하나의
채널 모드:
상승
포장:
시리즈:
FDMS4D4N08C
트랜지스터 유형:
1 N-Channel
상표:
온세미컨덕터 / 페어차일드
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:
98 S
가을 시간:
5 ns
상품 유형:
MOSFET
상승 시간:
7 ns
공장 팩 수량:
3000
하위 카테고리:
MOSFET
일반적인 끄기 지연 시간:
25 ns
일반적인 켜기 지연 시간:
17 ns
단위 무게:
0.002402 oz
Tags
FDMS4, FDMS, FDM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et Europe
PowerTrench MOSFET N-Channel Shielded Gate 80 V 123 A 4.3m Ohm 8-Pin Power 56 T/R
***emi
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 80V, 123A, 4.3mΩ
***rchild Semiconductor
This N-Channel MV MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
부분 # 제조 설명 재고 가격
FDMS4D4N08C
DISTI # V36:1790_18470533
ON SemiconductorN-Channel Shielded gate power Trench MOSFET0
    FDMS4D4N08C
    DISTI # FDMS4D4N08C-ND
    ON SemiconductorMOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
    RoHS: Not compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Tape & Reel (TR)
    Temporarily Out of Stock
    • 3000:$1.4244
    FDMS4D4N08C
    DISTI # FDMS4D4N08C
    ON SemiconductorPowerTrench MOSFET N-Channel Shielded Gate 80 V 123 A 4.3m Ohm 8-Pin Power 56 T/R - Tape and Reel (Alt: FDMS4D4N08C)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Reel
    Americas - 0
    • 6000:$1.5900
    • 12000:$1.5900
    • 18000:$1.5900
    • 30000:$1.5900
    • 3000:$1.6900
    FDMS4D4N08C
    DISTI # 512-FDMS4D4N08C
    ON SemiconductorMOSFET PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET
    RoHS: Compliant
    0
    • 1:$2.6900
    • 10:$2.2800
    • 100:$1.9800
    • 250:$1.8800
    • 500:$1.6800
    • 1000:$1.4200
    • 3000:$1.3500
    • 6000:$1.3000
    영상 부분 # 설명
    FDMS4D0N12C

    Mfr.#: FDMS4D0N12C

    OMO.#: OMO-FDMS4D0N12C

    MOSFET PTNG 120V N-FET 118A
    FDMS4435BZ

    Mfr.#: FDMS4435BZ

    OMO.#: OMO-FDMS4435BZ

    MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET
    FDMS4D4N08C

    Mfr.#: FDMS4D4N08C

    OMO.#: OMO-FDMS4D4N08C

    MOSFET PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET
    FDMS4435BZ

    Mfr.#: FDMS4435BZ

    OMO.#: OMO-FDMS4435BZ-ON-SEMICONDUCTOR

    MOSFET P-CH 30V 9A POWER56
    FDMS4D0N12C

    Mfr.#: FDMS4D0N12C

    OMO.#: OMO-FDMS4D0N12C-ON-SEMICONDUCTOR

    PTNG 120V N-FET PQFN56
    FDMS4D4N08C

    Mfr.#: FDMS4D4N08C

    OMO.#: OMO-FDMS4D4N08C-ON-SEMICONDUCTOR

    MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
    유효성
    재고:
    Available
    주문 시:
    3500
    수량 입력:
    FDMS4D4N08C의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
    참고 가격(USD)
    수량
    단가
    내선 가격
    1
    US$2.24
    US$2.24
    10
    US$1.90
    US$19.00
    100
    US$1.52
    US$152.00
    500
    US$1.33
    US$665.00
    1000
    US$1.10
    US$1 100.00
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