RN1130MFV(TPL3)

제품 속성

속성 값

제조사:

도시바

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스

RoHS:

N

구성:

하나의

트랜지스터 극성:

NPN

일반적인 입력 저항:

100 kOhms

일반적인 저항 비율:

1

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

VESM-3

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

100

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

50 V

지속적인 수집가 전류:

100 mA

피크 DC 수집기 전류:

100 mA

Pd - 전력 손실:

150 mW

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

RN1130MFV

포장:

릴

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

50 V

DC 전류 이득 hFE 최대:

100

이미터-베이스 전압 VEBO:

10 V

키:

0.5 mm

길이:

1.2 mm

작동 온도 범위:

- 65 C to + 150 C

유형:

NPN 에피택셜 실리콘 트랜지스터

너비:

0.8 mm

상표:

도시바

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스

공장 팩 수량:

8000

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

RN1130MFV(T, RN1130M, RN1130, RN113, RN11, RN1