MJD18002D2T4G

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-252-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

450 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

1 kV

이미터-베이스 전압 VEBO:

11 V

최대 DC 수집기 전류:

2 A

이득 대역폭 곱 fT:

13 MHz

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

키:

2.38 mm (Max)

길이:

6.73 mm (Max)

포장:

릴

너비:

6.22 mm (Max)

상표:

온세미컨덕터

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

14

Pd - 전력 손실:

50000 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

MJD18, MJD1, MJD