STW11NK100Z

제품 속성

속성 값

제조사:

ST마이크로일렉트로닉스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-247-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

1 kV

Id - 연속 드레인 전류:

8.3 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

1.38 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

113 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

230 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

상표명:

슈퍼메시

포장:

튜브

키:

20.15 mm

길이:

15.75 mm

시리즈:

STW11NK100Z

트랜지스터 유형:

1 N-Channel Power MOSFET

유형:

MOSFET

너비:

5.15 mm

상표:

ST마이크로일렉트로닉스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

9 S

가을 시간:

55 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

18 ns

공장 팩 수량:

600

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

98 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

27 ns

단위 무게:

1.340411 oz

Tags

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