2N6768

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

N

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-204AE-2

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

400 V

Id - 연속 드레인 전류:

14 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

400 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

110 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

150 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

가을 시간:

130 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

190 ns

공장 팩 수량:

22

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

170 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

35 ns

단위 무게:

0.014110 oz

Tags

2N6768, 2N676, 2N67, 2N6