PD20010S-E

제품 속성

속성 값

제조사:

ST마이크로일렉트로닉스

제품 카테고리:

RF MOSFET 트랜지스터

RoHS:

Y

트랜지스터 극성:

N-채널

기술:

시

Id - 연속 드레인 전류:

5 A

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

40 V

얻다:

11 dB

출력 파워:

10 W

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

PowerSO-10RF-Straight-4

포장:

튜브

구성:

하나의

키:

3.5 mm

길이:

7.5 mm

동작 주파수:

2 GHz

시리즈:

PD20010-E

유형:

RF 전력 MOSFET

너비:

9.4 mm

상표:

ST마이크로일렉트로닉스

채널 모드:

상승

습기에 민감한:

네

Pd - 전력 손실:

59 W

상품 유형:

RF MOSFET 트랜지스터

공장 팩 수량:

400

하위 카테고리:

MOSFET

Vgs - 게이트 소스 전압:

15 V

단위 무게:

0.105822 oz

Tags

PD20010, PD2001, PD200, PD20, PD2