RN1101MFV,L3F

Mfr. #:: RN1101MFV,L3F
제조사:: Toshiba
설명:: Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: RN1101MFV,L3F 데이터 시트
배달:: DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

제품 속성
속성 값

제조사:: 도시바

제품 카테고리:: 양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스

RoHS:: Y

트랜지스터 극성:: NPN

일반적인 입력 저항:: 4.7 kOhms

일반적인 저항 비율:: 1

장착 스타일:: SMD/SMT

패키지/케이스:: VESM-3

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:: 30

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:: 50 V

지속적인 수집가 전류:: 100 mA

Pd - 전력 손실:: 150 mW

최소 작동 온도:: - 55 C

최대 작동 온도:: + 150 C

시리즈:: RN1101

포장:: 릴

컬렉터-베이스 전압 VCBO:: 50 V

이미터-베이스 전압 VEBO:: 10 V

키:: 0.5 mm

길이:: 1.2 mm

작동 온도 범위:: - 55 C to + 150 C

유형:: NPN 에피택셜 실리콘 트랜지스터

너비:: 0.8 mm

상표:: 도시바

채널 수:: 1 Channel

채널 모드:: 상승

상품 유형:: BJT - 양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스

공장 팩 수량:: 8000

하위 카테고리:: 트랜지스터

Tags: RN1101M, RN1101, RN110, RN11, RN1

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Step1:
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Packaging Boxes

RN1101MFV,L3F 설명

***or: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

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