HP8S36TB

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

HSOP-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

27 A, 80 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

6.7 mOhms, 2 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.3 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V, 12 V

Qg - 게이트 차지:

4.8 nC, 47 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

3 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

릴

트랜지스터 유형:

2 N-Channel

상표:

로옴 반도체

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

10 S, 30 S

가을 시간:

3.4 ns, 66 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

4.5 ns, 27 ns

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

25.5 ns, 186 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

9.6 ns, 34 ns

부품 번호 별칭:

HP8S36

Tags

HP8S36, HP8S3, HP8S, HP8