IXFB120N50P2

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

PLUS-264-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

500 V

Id - 연속 드레인 전류:

120 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

43 mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1.89 kW

구성:

하나의

상표명:

HiPerFET

포장:

튜브

시리즈:

IXFB120N50

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

PolarP2 HiPerFET

상표:

익시스

상품 유형:

MOSFET

공장 팩 수량:

25

하위 카테고리:

MOSFET

단위 무게:

0.373904 oz

Tags

IXFB1, IXFB, IXF