PUMZ2,115

제품 속성

속성 값

제조사:

넥스페리아

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-363-6

트랜지스터 극성:

NPN, PNP

구성:

듀얼

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

50 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

60 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

7 V

최대 DC 수집기 전류:

0.15 A

이득 대역폭 곱 fT:

100 MHz, 190 MHz

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

DC 전류 이득 hFE 최대:

120 at 1 mA, 6 V

키:

1 mm

길이:

2.2 mm

포장:

릴

너비:

1.35 mm

상표:

넥스페리아

Pd - 전력 손실:

300 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

자격:

AEC-Q101

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

PUMZ2 T/R

단위 무게:

0.000212 oz

Tags

PUMZ2,1, PUMZ2, PUMZ, PUM