STH185N10F3-6

제품 속성

속성 값

제조사:

ST마이크로일렉트로닉스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-263-7

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

100 V

Id - 연속 드레인 전류:

180 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

3.9 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

114.6 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

315 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

자격:

AEC-Q101

상표명:

스트립펫

포장:

릴

키:

4.8 mm

길이:

15.8 mm

시리즈:

STH185N10F3-6

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

10.4 mm

상표:

ST마이크로일렉트로닉스

가을 시간:

6.9 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

97.1 ns

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

99.9 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

25.6 ns

단위 무게:

0.056438 oz

Tags

STH18, STH1, STH