PSMN9R5-100PS,127

제품 속성

속성 값

제조사:

넥스페리아

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

100 V

Id - 연속 드레인 전류:

89 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

9.6 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4.8 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

82 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

211 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

키:

9.4 mm

길이:

10.3 mm

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

N-Channel 100 V 9.6 mOhms Standard Level MOSFET in TO220

너비:

4.7 mm

상표:

넥스페리아

가을 시간:

22.8 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

25.2 ns

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

52.2 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

22 ns

단위 무게:

0.211644 oz

Tags

PSMN9R5-100P, PSMN9R5-1, PSMN9R5, PSMN9, PSMN, PSM