Si4103DY-T1-GE3

제품 속성

속성 값

제조사:

비쉐이

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SO-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

16 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

7.9 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

140 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

5.2 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

트랜지스터 유형:

1 P Channel

상표:

비쉐이 / 실리콘닉스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

60 S

가을 시간:

26 ns, 28 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

17 ns, 38 ns

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

55 ns, 78 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

11 ns, 57 ns

Tags

Si410, SI41, SI4